IPP04N03LB G характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TO220-3-1
Рассеивание мощности (Макс)	107W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 55A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5203pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-TO220-3-1
Рассеивание мощности (Макс)	107W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 55A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5203pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

IPP04N03LB G

IPP04N03LB G характеристики